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N25Q064A13EF640FN03 TR

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  • 제품 모델
    N25Q064A13EF640FN03 TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 64M SPI 108MHZ VDFPN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    8ms, 5ms
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    N25Q064A13EF640FN03 TR-ND
    N25Q064A13EF640FN03TR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (16M x 4) SPI 108MHz
  • 클럭 주파수
    108MHz

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N25Q064A13E12D1E

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ TBGA

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13E12D1F TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 24TPBGA

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13ESE40R01 TR

N25Q064A13ESE40R01 TR

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ SOIC

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13EF8A0F TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13E14D1E

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ TBGA

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13ESE40F TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13EF8H0E

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13EF840E

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

제조업체: Micron Technology
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RFQ
N25Q064A13EF640FN02 TR

N25Q064A13EF640FN02 TR

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ VDFPN

제조업체: Micron Technology
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RFQ
N25Q064A13EF640F TR

N25Q064A13EF640F TR

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13E14D1F TR

N25Q064A13E14D1F TR

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 24TPBGA

제조업체: Micron Technology
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N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

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기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ

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