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  • 제품 모델
    1N5418US
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.5V @ 9A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    D-5B
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    E-MELF
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    7 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    -
1N5420US

1N5420US

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
1N5419E3

1N5419E3

기술: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
1N5418C.TR

1N5418C.TR

기술: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
1N5519B (DO35)

1N5519B (DO35)

기술: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N5420

1N5420

기술: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
1N5417C.TR

1N5417C.TR

기술: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
1N5417US

1N5417US

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
1N5417-TAP

1N5417-TAP

기술: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N5416US

1N5416US

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
1N5518B (DO35)

1N5518B (DO35)

기술: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N5518BUR-1

1N5518BUR-1

기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
유품
1N5419

1N5419

기술: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
1N5418

1N5418

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
1N5420

1N5420

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
1N5418-TAP

1N5418-TAP

기술: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N5418TR

1N5418TR

기술: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N5417

1N5417

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
1N5419US

1N5419US

기술: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
1N5417TR

1N5417TR

기술: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N5419

1N5419

기술: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품

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