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1N5637AE3/TR

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  • 제품 모델
    1N5637AE3/TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    RoHS 준수
  • 사양서
    1N5637AE3/TR.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    12.8V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    21.2V
  • 전압 - 고장 (최소)
    14.3V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-13 (DO-202AA)
  • 연속
    -
  • RoHS 현황
    RoHS Compliant
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-13
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    71A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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1N5636

1N5636

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5638A

1N5638A

기술: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO13

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5640A

1N5640A

기술: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

제조업체: Hamlin / Littelfuse
유품
RFQ
1N5640

1N5640

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5637A/TR

1N5637A/TR

기술: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5634A

1N5634A

기술: TVS DIODE 9.4V 15.6V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5641

1N5641

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5636A

1N5636A

기술: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5641A

1N5641A

기술: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5639A

1N5639A

기술: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5634

1N5634

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5637

1N5637

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5640A

1N5640A

기술: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5635A

1N5635A

기술: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5639A

1N5639A

기술: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

제조업체: Hamlin / Littelfuse
유품
RFQ
1N5637A

1N5637A

기술: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5638

1N5638

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5637AE3

1N5637AE3

기술: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5639

1N5639

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5635

1N5635

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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