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19835531N5736B 이미지Microsemi Corporation

1N5736B

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유품
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규격
  • 제품 모델
    1N5736B
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 10V 500MW DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1N5736B.pdf
  • 전압 - 분리
    20 Ohm
  • 전압 - 파괴
    DO-35
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 편광
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    1N5736B
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    10V
  • 확장 설명
    Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
  • ESR (등가 직렬 저항)
    ±5%
  • 다이오드 구성
    200nA @ 7V
  • 기술
    DIODE ZENER 10V 500MW DO35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    900mV @ 10mA

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5739B

1N5739B

기술: DIODE ZENER 13V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5736D

1N5736D

기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5735B

1N5735B

기술: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5734C

1N5734C

기술: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5736C

1N5736C

기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5738C

1N5738C

기술: DIODE ZENER 12V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5738B

1N5738B

기술: DIODE ZENER 12V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N5734D

1N5734D

기술: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5737D

1N5737D

기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5734B

1N5734B

기술: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5738D

1N5738D

기술: DIODE ZENER 12V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5739C

1N5739C

기술: DIODE ZENER 13V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
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1N5733B

1N5733B

기술: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
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1N5733C

기술: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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1N5735D

기술: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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1N5732D

기술: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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1N5737C

기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

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기술: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

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