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1N6000B

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  • 제품 모델
    1N6000B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 10V 500MW DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 제너 (공칭) (Vz의)
    10V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 200mA
  • 용인
    ±5%
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-35
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    1N6000BMS
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    15 Ohms
  • 상세 설명
    Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100nA @ 8V
1N6000B_T50A

1N6000B_T50A

기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
1N6001UR-1

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기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
유품
1N6000D

1N6000D

기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6001C

1N6001C

기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6000A

1N6000A

기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6002A

1N6002A

기술: DIODE ZENER 12V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6000C

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기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6000B_T50R

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기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
1N6000B BK

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기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Central Semiconductor
유품
1N6000UR

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기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
유품
1N6001D

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6001B_T50R

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
1N6000UR-1

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기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
유품
1N6001B_T50A

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
1N6001UR

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기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
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1N6001B

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
1N6000B TR

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기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Central Semiconductor
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1N6001A

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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1N6001B

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기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N6000B

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