1N6461US/TR

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규격

제품 모델

1N6461US/TR
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF
무연 여부 / RoHS 준수 여부

RoHS 미준수
사양서

1N6461US/TR.pdf
ECAD 모델
전압 - 역 스탠드 오프 (일반)

5V
전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp

9V
전압 - 고장 (최소)

5.6V
단방향 채널

1
유형

Zener
제조업체 장치 패키지

B, SQ-MELF
연속

-
RoHS 현황

RoHS non-compliant
전력선 보호

No
전력 - 피크 펄스

500W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SQ-MELF, B
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)

56A
정전 용량 @ 주파수

-
응용 프로그램

General Purpose

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1N645UR-1

기술: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

제조업체: Microsemi

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1N6462

기술: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6463

기술: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N646-1

기술: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6464

기술: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6464

기술: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N646

기술: SILICON SWITCHING DIODES

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6461

기술: TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation

유품

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1N6461US

기술: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6463US

기술: TVS DIODE 12V 22.6V

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6461US

기술: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N645-1E3

기술: SWITCHING DIODE

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6462

기술: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6461

기술: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6462US

기술: TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N645-1

기술: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6463

기술: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6462US

기술: TVS DIODE 6V 11V

제조업체: Semtech

유품

RFQ

1N6392

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

1N6463US

기술: TVS DIODE 12V 22.6V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

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