1N6622US

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제품 모델

1N6622US
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1N6622US.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.4V @ 1.2A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

660V
제조업체 장치 패키지

A-MELF
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

30ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

SQ-MELF, A
작동 온도 - 정션

-65°C ~ 150°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount A-MELF
전류 - 누설 Vr에서 역방향

500nA @ 660V
전류 - 평균 정류 (Io)

1.2A
VR, F @ 용량

10pF @ 10V, 1MHz

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