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2N3501L

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유품
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규격
  • 제품 모델
    2N3501L
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    2N3501L.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    150V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    400mV @ 15mA, 150mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-5
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 작동 온도
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 1W Through Hole TO-5
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 150mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    10µA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    300mA

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2N3500

기술: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

제조업체: Microsemi
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2N3499L

2N3499L

기술: TRANS NPN 100V 0.5A TO5

제조업체: Microsemi
유품
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2N3498

2N3498

기술: TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

제조업체: Microsemi
유품
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2N3506AL

2N3506AL

기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3501UB

2N3501UB

기술: TRANS NPN 150V 0.3A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3486A

2N3486A

기술: TRANS PNP 60V 0.6A TO-46

제조업체: Microsemi
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RFQ
2N3486

2N3486

기술: TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3501

2N3501

기술: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3499

2N3499

기술: TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

제조업체: Microsemi
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2N3563

2N3563

기술: TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor
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2N3501

2N3501

기술: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

제조업체: Central Semiconductor
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2N3507U4

2N3507U4

기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
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2N3507AL

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기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
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2N3500L

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기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
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2N3506L

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기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
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2N3507L

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기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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2N3507AU4

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기술: NPN TRANSISTOR

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기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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