Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > 2N3637UB
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
16621372N3637UB 이미지Microsemi

2N3637UB

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$18.25
10+
$16.59
25+
$15.346
100+
$14.102
250+
$12.857
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    2N3637UB
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    2N3637UB.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    175V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    600mV @ 5mA, 50mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP
  • 제조업체 장치 패키지
    UB
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1.5W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    3-SMD, No Lead
  • 작동 온도
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount UB
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 50mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    10µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    1A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "2N3637UB"관련 제품입니다.
2N3663

2N3663

기술: TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
2N3646

2N3646

기술: TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N3635

2N3635

기술: TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3636L

2N3636L

기술: TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3700

2N3700

기술: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N3635UB

2N3635UB

기술: TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3637

2N3637

기술: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3690

2N3690

기술: TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N3700

2N3700

기술: TRANS NPN 80V 1A TO18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3636UB

2N3636UB

기술: TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3635L

2N3635L

기술: TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3700UB

2N3700UB

기술: TRANS NPN 80V 1A UB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3701

2N3701

기술: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N3637L

2N3637L

기술: TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3636

2N3636

기술: TRANS PNP 175V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3640

2N3640

기술: TRANSISTOR PNP TO-106

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N3634UB

2N3634UB

기술: TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3634L

2N3634L

기술: TRANS PNP 140V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N3702

2N3702

기술: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
2N3700

2N3700

기술: TRANS NPN 80V 1A TO-18

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.