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2N5013

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  • 제품 모델
    2N5013
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    NPN SILICON TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    800V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-5
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1W
  • 패키지 / 케이스
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 작동 온도
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    30 @ 20mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    10nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    200mA

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2N5011

2N5011

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5015

2N5015

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5015S

2N5015S

기술: TRANSISTOR NPN TO-39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5000

2N5000

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5051

2N5051

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5001

2N5001

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5013S

2N5013S

기술: TRANSISTOR NPN TO-39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5002

2N5002

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5039

2N5039

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5004

2N5004

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5012

2N5012

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5010

2N5010

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5014

2N5014

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5012S

2N5012S

기술: TRANSISTOR NPN TO-39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5014S

2N5014S

기술: TRANSISTOR NPN TO-39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5050

2N5050

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5038G

2N5038G

기술: TRANS NPN 90V 20A TO3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
2N5031

2N5031

기술: TRANS RF NPN 200MW 20MA TO72

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5003

2N5003

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N5005

2N5005

기술: NPN SILICON TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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