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5822088APT11N80BC3G 이미지Microsemi

APT11N80BC3G

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유품
1+
$6.96
30+
$5.595
120+
$5.098
510+
$4.128
1020+
$3.481
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT11N80BC3G
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT11N80BC3G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.9V @ 680µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    450 mOhm @ 7.1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    156W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT11N80BC3GMI
    APT11N80BC3GMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1585pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    11A (Tc)

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APT10SCD120K

APT10SCD120K

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

기술: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

기술: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

기술: DIODE SILICON 650V 17A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

기술: IGBT 1200V 25A 156W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

기술: IGBT 1200V 25A 156W TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

기술: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

기술: IGBT 600V 41A 187W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

기술: DIODE SILICON 650V 17A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

기술: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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