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APT150GN60JDQ4

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유품
1+
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10+
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30+
$30.518
100+
$28.364
250+
$26.03
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT150GN60JDQ4
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 150A
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    536W
  • 패키지 / 케이스
    ISOTOP
  • 다른 이름들
    APT150GN60JDQ4MI
    APT150GN60JDQ4MI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    9.2nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    50µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    220A
  • 구성
    Single
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

기술: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120BG

APT15D120BG

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT150GN120J

APT150GN120J

기술: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT150GT120JR

APT150GT120JR

기술: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

기술: IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT14M120B

APT14M120B

기술: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT14M100B

APT14M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT14F100S

APT14F100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100BG

APT15D100BG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120KG

APT15D120KG

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT14F100B

APT14F100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D30KG

APT15D30KG

기술: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT150GN60J

APT150GN60J

기술: IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100KG

APT15D100KG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

기술: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT14M100S

APT14M100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

기술: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

제조업체: Microsemi
유품
APT14050JVFR

APT14050JVFR

기술: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품

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