Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > APT5SM170B
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4251636

APT5SM170B

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT5SM170B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.2V @ 500µA
  • Vgs (최대)
    +25V, -10V
  • 과학 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.25 Ohm @ 2.5A, 20V
  • 전력 소비 (최대)
    65W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    249pF @ 1000V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    21nC @ 20V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    20V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1700V
  • 상세 설명
    N-Channel 1700V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5A (Tc)
APT58M80J

APT58M80J

기술: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT6040BNG

APT6040BNG

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
APT6013LLLG

APT6013LLLG

기술: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT6040BN

APT6040BN

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

기술: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT58M50JU3

APT58M50JU3

기술: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT58MJ50J

APT58MJ50J

기술: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT5SM170S

APT5SM170S

기술: MOSFET N-CH 700V D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT58F50J

APT58F50J

기술: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT6017LLLG

APT6017LLLG

기술: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

기술: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT60D100BG

APT60D100BG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT58M50J

APT58M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT5F100K

APT5F100K

기술: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
APT6030BN

APT6030BN

기술: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
APT6013JLL

APT6013JLL

기술: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

기술: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT58M50JU2

APT58M50JU2

기술: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

기술: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT56M60L

APT56M60L

기술: MOSFET N-CH 600V 56A TO-264

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오