APT60N60BCSG

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규격

제품 모델

APT60N60BCSG
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

APT60N60BCSG.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

3.9V @ 3mA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-247 [B]
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

45 mOhm @ 44A, 10V
전력 소비 (최대)

431W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-247-3
다른 이름들

APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

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다음은 "APT60N60BCSG"관련 제품입니다.

APT60S20SG/TR

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation

유품

APT60N60BCSG

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