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APTC60HM45SCTG

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유품
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규격
  • 제품 모델
    APTC60HM45SCTG
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APTC60HM45SCTG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.9V @ 3mA
  • 제조업체 장치 패키지
    SP4
  • 연속
    CoolMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    45 mOhm @ 22.5A, 10V
  • 전력 - 최대
    250W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SP4
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • FET 유형
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET 특징
    Super Junction
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    49A

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APTC60SKM35T1G

APTC60SKM35T1G

기술: MOSFET N-CH 600V 72A SP1

제조업체: Microsemi
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APTC60DSKM45CT1G

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기술: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

제조업체: Microsemi
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기술: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3

제조업체: Microsemi
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APTC60DSKM45T1G

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기술: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

제조업체: Microsemi
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APTC60SKM24T1G

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기술: MOSFET N-CH 600V 95A SP1

제조업체: Microsemi
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APTC60DSKM70T1G

APTC60DSKM70T1G

기술: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

제조업체: Microsemi
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APTC60DSKM24T3G

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기술: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

제조업체: Microsemi
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APTC60HM35T3G

APTC60HM35T3G

기술: MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3

제조업체: Microsemi
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기술: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F

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APTC60DSKM35T3G

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APTC60HM83FT2G

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기술: MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE

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APTC60HM70T1G

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기술: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

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APTC60HM70SCTG

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