Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-igbt-모듈 > APTGT35DA120D1G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4816910

APTGT35DA120D1G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APTGT35DA120D1G
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 55A 205W D1
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APTGT35DA120D1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.1V @ 15V, 35A
  • 제조업체 장치 패키지
    D1
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    205W
  • 패키지 / 케이스
    D1
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    2.5nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    5mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    55A
  • 구성
    Single

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "APTGT35DA120D1G"관련 제품입니다.
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

기술: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400DA60D3G

APTGT400DA60D3G

기술: IGBT 600V 500A 1250W D3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30SK170T1G

APTGT30SK170T1G

기술: IGBT 1700V 45A 210W SP1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30TL601G

APTGT30TL601G

기술: MOD IGBT 600V 50A SP1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G

기술: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

기술: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

기술: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

기술: IGBT 1200V 55A 205W D1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400A60D3G

APTGT400A60D3G

기술: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400DA120D3G

APTGT400DA120D3G

기술: IGBT 1200V 580A 2100W D3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT35A120T1G

APTGT35A120T1G

기술: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

기술: IGBT 1700V 45A 210W D1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400DA120G

APTGT400DA120G

기술: IGBT 1200V 560A 1785W SP6

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30TL60T3G

APTGT30TL60T3G

기술: MOD IGBT 600V 50A SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400A120G

APTGT400A120G

기술: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

기술: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT400A120D3G

APTGT400A120D3G

기술: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

기술: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

기술: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

기술: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.