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APTGV100H60BTPG

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  • 제품 모델
    APTGV100H60BTPG
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.9V @ 15V, 100A
  • 제조업체 장치 패키지
    SP6-P
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    340W
  • 패키지 / 케이스
    SP6
  • 작동 온도
    -
  • NTC 써미스터
    Yes
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    6.1nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT, Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    250µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    150A
  • 구성
    Boost Chopper, Full Bridge

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
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APTGV50H120T3G

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기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

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APTGTQ150TA65TPG

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
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RFQ
APTGV50H60BT3G

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기술: MOD IGBT NPT 600V SP3

제조업체: Microsemi
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RFQ
APTGV50H60BG

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기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

제조업체: Microsemi
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APTGV30H60T3G

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기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi
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APTGTQ200A65T3G

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
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RFQ
APTGV25H120BG

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기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

제조업체: Microsemi
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APTGTQ100DDA65T3G

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
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APTGTQ200SK65T3G

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGV25H120T3G

APTGV25H120T3G

기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APTGV50H60T3G

APTGV50H60T3G

기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi
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RFQ
APTGV50H120BTPG

APTGV50H120BTPG

기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P

제조업체: Microsemi
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APTGTQ100SK65T1G

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기술: POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi
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APTGTQ100H65T3G

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기술: POWER MODULE - IGBT

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APTGTQ100DA65T1G

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기술: POWER MODULE - IGBT

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APTGV15H120T3G

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기술: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

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APTGTQ100A65T1G

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APTGTQ200DA65T3G

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