APTM120U10SAG

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규격

제품 모델

APTM120U10SAG
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.APTM120U10SAG.pdf
2.APTM120U10SAG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 20mA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

SP6
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

120 mOhm @ 58A, 10V
전력 소비 (최대)

3290W (Tc)
포장

Bulk
패키지 / 케이스

SP6
다른 이름들

APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28900pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

1100nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

1200V
상세 설명

N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

116A (Tc)

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