GA201AE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

100+

$64.358

온라인 문의

규격

제품 모델

GA201AE3
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

SCR
무연 여부 / RoHS 준수 여부

RoHS 준수
전압 - 주 (VTM) (최대)

1.5V
전압 - 오프 상태

100V
전압 - 게이트 트리거 (VGT) (최대)

750mV
제조업체 장치 패키지

TO-18
연속

-
SCR 유형

Standard Recovery
RoHS 현황

RoHS Compliant
패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
다른 이름들

GA201AE3MS
작동 온도

-65°C ~ 150°C
실장 형

Through Hole
상세 설명

SCR 100V Standard Recovery Through Hole TO-18
전류 - On 상태 (그것은 (AV)) (최대)

25mA
전류 - 상태 (최대) 오프

100nA
전류 -. 비 의원 50 서지, 60Hz의 (ITSM)

-
전류 - 홀드 (1H) (최대)

5mA
전류 - 게이트 트리거 (IGT) (최대)

200µA

다음은 "GA201AE3"관련 제품입니다.

GA200-001PD

기술: SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA2.2K3D210

기술: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA200-005WD

기술: SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA200-015WD

기술: SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA2.2K3A1A

기술: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA20SICP12-263

기술: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

RFQ

GA242QR7E2102MW01L

기술: CAP CER 1000PF 250VAC X7R 1808

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA243DR7E2472MW01L

기술: CAP CER 4700PF 250VAC X7R 1812

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA20JT12-247

기술: TRANS SJT 1.2KV 20A

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

RFQ

GA200SA60U

기술: IGBT UFAST 600V 100A SOT227

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

GA200SA60S

기술: IGBT STD 600V 100A SOT227

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

GA242QR7E2471MW01L

기술: CAP CER 470PF 250VAC X7R 1808

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA243QR7E2103MW01L

기술: CAP CER 10000PF 250VAC X7R 1812

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA243DR7E2473MW01L

기술: CAP CER 0.047UF 250VAC X7R 1812

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA243QR7E2223MW01L

기술: CAP CER 0.022UF 250VAC X7R 1812

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

GA20JT12-263

기술: TRANS SJT 1200V 45A

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

RFQ

GA200-010WD

기술: SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA20SICP12-247

기술: TRANS SJT 1200V 45A TO247

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

RFQ

GA2.2K3A1IA

기술: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

GA243QR7E2222MW01L

기술: CAP CER 2200PF 250VAC X7R 1812

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

사전 등록

GA201AE3

온라인 가격 조회

참고 가격 (미국 달러 기준)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

아마존

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

GA200-001PD

GA2.2K3D210

GA200-005WD

GA200-015WD

GA2.2K3A1A

GA20SICP12-263

GA242QR7E2102MW01L

GA243DR7E2472MW01L

GA20JT12-247

GA200SA60U

GA200SA60S

GA242QR7E2471MW01L

GA243QR7E2103MW01L

GA243DR7E2473MW01L

GA243QR7E2223MW01L

GA20JT12-263

GA200-010WD

GA20SICP12-247

GA2.2K3A1IA

GA243QR7E2222MW01L

언어 선택

현재 언어