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  • 제품 모델
    JAN1N3018BUR-1
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N3018BUR-1.pdf
  • 전압 - 분리
    4.5 Ohm
  • 전압 - 파괴
    DO-213AB (MELF, LL41)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/115
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 전력 - 최대
    1W
  • 편광
    DO-213AB, MELF
  • 다른 이름들
    1086-16307
    1086-16307-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N3018BUR-1
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    8.2V
  • 확장 설명
    Zener Diode 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
  • ESR (등가 직렬 저항)
    ±5%
  • 다이오드 구성
    150µA @ 5.2V
  • 기술
    DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.2V @ 200mA

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제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N3017CUR-1

기술: DIODE ZENER 7.5V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
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기술: DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
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JAN1N3018CUR-1

기술: DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
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JAN1N3017C-1

JAN1N3017C-1

기술: DIODE ZENER 7.5V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N3018B-1

기술: DIODE ZENER 8.2V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N3019DUR-1

기술: DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N3019D-1

기술: DIODE ZENER 9.1V 1W DO41

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N3018D-1

기술: DIODE ZENER 8.2V 1W DO41

제조업체: Microsemi
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JAN1N3019BUR-1

기술: DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N3019B-1

기술: DIODE ZENER 9.1V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N3016DUR-1

기술: DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
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기술: DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
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기술: DIODE ZENER 7.5V 1W DO213AB

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기술: DIODE ZENER 7.5V 1W DO41

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기술: DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

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