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JAN1N3766

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    JAN1N3766
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.4V @ 110A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-5
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • 다른 이름들
    1086-16812
    1086-16812-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    35A
  • VR, F @ 용량
    -
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3671R

JAN1N3671R

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3768R

JAN1N3768R

기술: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3768

JAN1N3768

기술: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

기술: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3644

JAN1N3644

기술: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3645

JAN1N3645

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3671A

JAN1N3671A

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3646

JAN1N3646

기술: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3614

JAN1N3614

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3766R

JAN1N3766R

기술: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N3647

JAN1N3647

기술: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N3673A

JAN1N3673A

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

제조업체: Microsemi
유품

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