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JAN1N5417

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유품
1+
$11.69
10+
$10.519
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN1N5417
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5417.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.5V @ 9A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    B, Axial
  • 다른 이름들
    1086-2088
    1086-2088-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 3A Through Hole
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    -

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JAN1N5417US

JAN1N5417US

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

기술: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

기술: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

기술: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5312-1

JAN1N5312-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

기술: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

기술: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

기술: DIODE CURRENT REG 100V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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