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JAN1N5711-1

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  • 제품 모델
    JAN1N5711-1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 15mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    70V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-35
  • 속도
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/444
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    1086-15223
    1086-15223-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 상세 설명
    Diode Schottky 70V 33mA Through Hole DO-35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    200nA @ 70V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    33mA
  • VR, F @ 용량
    2pF @ 0V, 1MHz
JAN1N5646A

JAN1N5646A

기술: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5804US

JAN1N5804US

기술: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5660A

JAN1N5660A

기술: TVS DIODE 111V 179V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5652A

JAN1N5652A

기술: TVS DIODE 53V 85V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5651A

JAN1N5651A

기술: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5647A

JAN1N5647A

기술: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

기술: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5802US

JAN1N5802US

기술: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5772

JAN1N5772

기술: TVS DIODE 10CFLATPACK

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N5653A

JAN1N5653A

기술: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

기술: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5648A

JAN1N5648A

기술: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5804

JAN1N5804

기술: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5655A

JAN1N5655A

기술: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5802

JAN1N5802

기술: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5649A

JAN1N5649A

기술: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5645A

JAN1N5645A

기술: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N5806

JAN1N5806

기술: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품

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