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JAN1N5907

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유품
1+
$133.41
10+
$124.686
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN1N5907
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 5V 8.5V DO13
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5907.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    5V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    8.5V
  • 전압 - 고장 (최소)
    6V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-13 (DO-202AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-13
  • 다른 이름들
    1086-15228
    1086-15228-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    120A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N6051A

JAN1N6051A

기술: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

기술: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

기술: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

기술: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6053A

JAN1N6053A

기술: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

기술: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

기술: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

기술: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

기술: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

기술: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

기술: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

기술: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

기술: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

기술: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

기술: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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