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JAN1N6117

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유품
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6117
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 22.8V 43.68V AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6117.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    22.8V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    43.68V
  • 전압 - 고장 (최소)
    27.08V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    Axial
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    500W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    B, Axial
  • 다른 이름들
    1086-2185
    1086-2185-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    11.4A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N6114AUS

JAN1N6114AUS

기술: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

기술: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6119

JAN1N6119

기술: TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6116US

JAN1N6116US

기술: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6115US

JAN1N6115US

기술: TVS DIODE 18.2V 34.97V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6117A

JAN1N6117A

기술: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6115

JAN1N6115

기술: TVS DIODE 18.2V 34.97V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6114US

JAN1N6114US

기술: TVS DIODE 16.7V 32.03V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6116A

JAN1N6116A

기술: TVS DIODE 20.6V 37.4V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6115A

JAN1N6115A

기술: TVS DIODE 18.2V 33.3V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6119A

JAN1N6119A

기술: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6116

JAN1N6116

기술: TVS DIODE 20.6V 39.27V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

기술: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6116AUS

JAN1N6116AUS

기술: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6119AUS

JAN1N6119AUS

기술: TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6118A

JAN1N6118A

기술: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

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JAN1N6118US

JAN1N6118US

기술: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

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JAN1N6117US

JAN1N6117US

기술: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

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기술: TVS DIODE 18.2V 33.3V B SQ-MELF

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기술: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

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