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유품
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6133US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6133US.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    98.8V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    187.74V
  • 전압 - 고장 (최소)
    117.33V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    B, SQ-MELF
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    500W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF, B
  • 다른 이름들
    1086-19533
    1086-19533-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    2.66A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

기술: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6133A

JAN1N6133A

기술: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

기술: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6131US

JAN1N6131US

기술: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6134AUS

JAN1N6134AUS

기술: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6135US

JAN1N6135US

기술: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6135AUS

JAN1N6135AUS

기술: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6135A

JAN1N6135A

기술: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6134US

JAN1N6134US

기술: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6136A

JAN1N6136A

기술: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6134

JAN1N6134

기술: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6131A

JAN1N6131A

기술: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

기술: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6135

JAN1N6135

기술: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6132A

JAN1N6132A

기술: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6136

JAN1N6136

기술: TVS DIODE 136.8V 257.99V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6132

JAN1N6132

기술: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6134A

JAN1N6134A

기술: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N6133

JAN1N6133

기술: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

제조업체: Microsemi
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JAN1N6132US

기술: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
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