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JAN1N6170

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유품
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$48.263
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN1N6170
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6170.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    114V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    216.62V
  • 전압 - 고장 (최소)
    135.38V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    C, Axial
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Axial
  • 다른 이름들
    1086-19783
    1086-19783-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    6.94A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

기술: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6169US

JAN1N6169US

기술: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6168

JAN1N6168

기술: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6172

JAN1N6172

기술: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6170A

JAN1N6170A

기술: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6167US

JAN1N6167US

기술: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6169A

JAN1N6169A

기술: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6170US

JAN1N6170US

기술: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6168US

JAN1N6168US

기술: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6169

JAN1N6169

기술: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

기술: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

기술: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

기술: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6168A

JAN1N6168A

기술: TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6171A

JAN1N6171A

기술: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6171

JAN1N6171

기술: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

기술: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

기술: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
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JAN1N6171US

JAN1N6171US

기술: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
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JAN1N6172A

JAN1N6172A

기술: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

제조업체: Microsemi
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