Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > JAN1N914
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5752905JAN1N914 이미지Microsemi

JAN1N914

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.73
10+
$1.535
100+
$1.213
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN1N914
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N914.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.2V @ 50mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    75V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-35 (DO-204AH)
  • 속도
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/116
  • 역 회복 시간 (trr)
    20ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    1086-15237
    1086-15237-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 75V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    200mA
  • VR, F @ 용량
    2.8pF @ 1.5V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일
배송
지불
다음은 "JAN1N914"관련 제품입니다.
JAN1N829UR-1

JAN1N829UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N821UR-1

JAN1N821UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N825UR-1

JAN1N825UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N821-1

JAN1N821-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N944B-1

JAN1N944B-1

기술: DIODE ZENER 11.7V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N962BUR-1

JAN1N962BUR-1

기술: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N938B-1

JAN1N938B-1

기술: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N827UR-1

JAN1N827UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N945B-1

JAN1N945B-1

기술: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N827-1

JAN1N827-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N962B-1

JAN1N962B-1

기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N941B-1

JAN1N941B-1

기술: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N937B-1

JAN1N937B-1

기술: DIODE ZENER 8.55V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N823UR-1

JAN1N823UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N937BUR-1

JAN1N937BUR-1

기술: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N823-1

JAN1N823-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N829-1

JAN1N829-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N943B-1

JAN1N943B-1

기술: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N825-1

JAN1N825-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N935B-1

JAN1N935B-1

기술: DIODE ZENER 9.45V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기소식사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.