Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > JAN2N3879
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1681805

JAN2N3879

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN2N3879
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 75V 7A TO-66
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN2N3879.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    75V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1.2V @ 400mA, 4A
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-66 (TO-213AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/526
  • 전력 - 최대
    35W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-213AA, TO-66-2
  • 다른 이름들
    1086-20932
    1086-20932-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 75V 7A 35W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    20 @ 4A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    25mA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    7A

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "JAN2N3879"관련 제품입니다.
JAN2N3996

JAN2N3996

기술: TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3811

JAN2N3811

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3868

JAN2N3868

기술: TRANS PNP 60V 0.003A TO-5

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3902

JAN2N3902

기술: TRANS NPN 400V 3.5A TO3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3867

JAN2N3867

기술: TRANS PNP 40V 3A TO5

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3960UB

JAN2N3960UB

기술: TRANS NPN 12V UB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3867S

JAN2N3867S

기술: TRANS PNP 40V 3A TO39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3810L

JAN2N3810L

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3811L

JAN2N3811L

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3998

JAN2N3998

기술: TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N4033

JAN2N4033

기술: TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3868S

JAN2N3868S

기술: TRANS PNP 60V 0.003A TO39

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3810U

JAN2N3810U

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N4033UB

JAN2N4033UB

기술: TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3810

JAN2N3810

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3811U

JAN2N3811U

기술: TRANS 2PNP 60V 0.05A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3999

JAN2N3999

기술: TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3997

JAN2N3997

기술: TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N3960

JAN2N3960

기술: TRANS NPN 12V TO-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN2N4029

JAN2N4029

기술: TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.