JANSR2N3440

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유품

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규격

제품 모델

JANSR2N3440
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

RH POWER BJT
무연 여부 / RoHS 준수 여부

RoHS 미준수
사양서

JANSR2N3440.pdf
ECAD 모델
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

250V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

500mV @ 4mA, 50mA
트랜지스터 유형

NPN
제조업체 장치 패키지

TO-39
연속

Military, MIL-PRF-19500/368
RoHS 현황

RoHS non-compliant
패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형

Through Hole
제조업체 표준 리드 타임

33 Weeks
주파수 - 전환

-
상세 설명

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A Through Hole TO-39
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

40 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

2µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

1A

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다음은 "JANSR2N3440"관련 제품입니다.

JANSF2N2484

기술: SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi

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