Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > JANTX1N5617US
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4045544JANTX1N5617US 이미지Microsemi

JANTX1N5617US

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$13.67
10+
$12.43
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JANTX1N5617US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JANTX1N5617US.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.6V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    D-5A
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF, A
  • 다른 이름들
    1086-15418
    1086-15418-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    35pF @ 12V, 1MHz

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "JANTX1N5617US"관련 제품입니다.
JANTX1N5618

JANTX1N5618

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5615

JANTX1N5615

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5614

JANTX1N5614

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JANTX1N5619US

JANTX1N5619US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5616

JANTX1N5616

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JANTX1N5611

JANTX1N5611

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5617

JANTX1N5617

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5622

JANTX1N5622

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5619

JANTX1N5619

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5620

JANTX1N5620

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5612

JANTX1N5612

기술: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5620US

JANTX1N5620US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5613

JANTX1N5613

기술: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5621

JANTX1N5621

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5610

JANTX1N5610

기술: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5621US

JANTX1N5621US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.