Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > JANTXV1N6625
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
957870

JANTXV1N6625

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JANTXV1N6625
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.75V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1100V
  • 제조업체 장치 패키지
    A-PAK
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • 역 회복 시간 (trr)
    60ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    A, Axial
  • 다른 이름들
    1086-3029
    1086-3029-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1100V 1A Through Hole A-PAK
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 1100V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -
JANTXV1N6621US

JANTXV1N6621US

기술: DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6627

JANTXV1N6627

기술: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

기술: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6623

JANTXV1N6623

기술: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6624U

JANTXV1N6624U

기술: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JANTXV1N6628

JANTXV1N6628

기술: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6622US

JANTXV1N6622US

기술: DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6625U

JANTXV1N6625U

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JANTXV1N6624US

JANTXV1N6624US

기술: DIODE GEN PURP 900V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6623U

JANTXV1N6623U

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JANTXV1N6622

JANTXV1N6622

기술: DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6627US

JANTXV1N6627US

기술: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6625US

JANTXV1N6625US

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6626US

JANTXV1N6626US

기술: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6622U

JANTXV1N6622U

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JANTXV1N6623US

JANTXV1N6623US

기술: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6626U

JANTXV1N6626U

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JANTXV1N6624

JANTXV1N6624

기술: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6628U

JANTXV1N6628U

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
JANTXV1N6627U

JANTXV1N6627U

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오