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MAP6KE33A

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  • 제품 모델
    MAP6KE33A
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MAP6KE33A.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    28.2V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    45.7V
  • 전압 - 고장 (최소)
    31.4V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    T-18
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    T-18, Axial
  • 다른 이름들
    1086-4557
    1086-4557-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    13.2A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MAP6KE27AE3

MAP6KE27AE3

기술: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

기술: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE39CA

MAP6KE39CA

기술: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE36A

MAP6KE36A

기술: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

기술: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

기술: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

기술: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

기술: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

기술: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

기술: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

기술: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

기술: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

기술: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

기술: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

기술: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

제조업체: Microsemi
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MAP6KE27A

MAP6KE27A

기술: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

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MAP6KE24CA

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기술: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

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MAP6KE36CA

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