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MAP6KE6.8CA

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  • 제품 모델
    MAP6KE6.8CA
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MAP6KE6.8CA.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    5.8V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    10.5V
  • 전압 - 고장 (최소)
    6.45V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    T-18
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    T-18, Axial
  • 다른 이름들
    1086-4587
    1086-4587-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    57A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MAP6KE6.8A

기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE6.8AE3

MAP6KE6.8AE3

기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE51CAE3

MAP6KE51CAE3

기술: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE56A

MAP6KE56A

기술: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE51A

MAP6KE51A

기술: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE68AE3

MAP6KE68AE3

기술: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

기술: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE68CAE3

MAP6KE68CAE3

기술: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

기술: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE62CA

MAP6KE62CA

기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

제조업체: Microsemi
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MAP6KE62A

MAP6KE62A

기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MAP6KE51AE3

MAP6KE51AE3

기술: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

제조업체: Microsemi
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MAP6KE62CAE3

MAP6KE62CAE3

기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

제조업체: Microsemi
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MAP6KE68A

MAP6KE68A

기술: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

제조업체: Microsemi
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MAP6KE6.8CAE3

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기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

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기술: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

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기술: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

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기술: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

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기술: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

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기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

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