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MS1006

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규격
  • 제품 모델
    MS1006
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RF POWER TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    55V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    M135
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    127W
  • 패키지 / 케이스
    M135
  • 작동 온도
    200°C
  • 잡음 지수 (f에서 dB Typ)
    -
  • 실장 형
    Stud Mount
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    14dB
  • 주파수 - 전환
    30MHz
  • 상세 설명
    RF Transistor NPN 55V 3.25A 30MHz 127W Stud Mount M135
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    19 @ 1.4A, 6V
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    3.25A
MS1019

MS1019

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
MS1007

MS1007

기술: TRANS RF BIPO 233W 10A M174

제조업체: Microsemi
유품
MS1008

MS1008

기술: TRANS RF BIPO 233W 10A TO-220AC

제조업체: Microsemi
유품
MS104E3/TR12

MS104E3/TR12

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS1014

MS1014

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
MS1003

MS1003

기술: TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC

제조업체: Microsemi
유품
MS1024

MS1024

기술: SWITCHING POWER SUPPLIES

제조업체: TDK-Lambda Americas, Inc.
유품
MS10-S

MS10-S

기술: MAGNET FLOATING MS10-S

제조업체: Standex-Meder Electronics
유품
MS1030DE

MS1030DE

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
MS1004

MS1004

기술: TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC

제조업체: Microsemi
유품
MS1001

MS1001

기술: TRANS RF BIPO 270W 20A M174

제조업체: Microsemi
유품
MS104/TR8

MS104/TR8

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS105/TR12

MS105/TR12

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS1001A

MS1001A

기술: TRANS RF BIPO 270W 20A

제조업체: Microsemi
유품
MS1030

MS1030

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
MS104E3/TR8

MS104E3/TR8

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS1051

MS1051

기술: TRANS RF BIPO 290W 20A M174

제조업체: Microsemi
유품
MS104/TR12

MS104/TR12

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS105/TR8

MS105/TR8

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

제조업체: Microsemi
유품
MS1015D

MS1015D

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품

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