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MSMBJ10CA/TR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MSMBJ10CA/TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    MSMBJ10CA/TR.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    10V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    17V
  • 전압 - 고장 (최소)
    11.1V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMBJ (DO-214AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    MSMBJ10CA/TRMS
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    35.3A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMBJ10CA

MSMBJ10CA

기술: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ10AE3

MSMBJ10AE3

기술: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ100CAE3/TR

MSMBJ100CAE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ11CA

MSMBJ11CA

기술: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ10A/TR

MSMBJ10A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ11AE3

MSMBJ11AE3

기술: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ100AE3

MSMBJ100AE3

기술: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ110AE3

MSMBJ110AE3

기술: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ11CA/TR

MSMBJ11CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ11A

MSMBJ11A

기술: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ100CA/TR

MSMBJ100CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ100CAE3

MSMBJ100CAE3

기술: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ110CAE3

MSMBJ110CAE3

기술: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ100A

MSMBJ100A

기술: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ110A

MSMBJ110A

기술: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ110CA

MSMBJ110CA

기술: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ10A

MSMBJ10A

기술: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ100CA

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기술: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ11A/TR

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기술: TVS

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MSMBJ10CAE3

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기술: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

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