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MSMBJ36CAE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MSMBJ36CAE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MSMBJ36CAE3.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    36V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    58.1V
  • 전압 - 고장 (최소)
    40V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMBJ (DO-214AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1086-8100
    1086-8100-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    10.3A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMBJ33CAE3

MSMBJ33CAE3

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ33CA/TR

MSMBJ33CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ36AE3

MSMBJ36AE3

기술: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ43AE3

MSMBJ43AE3

기술: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ36AE3/TR

MSMBJ36AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ36CA

MSMBJ36CA

기술: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ33CA

MSMBJ33CA

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ43A

MSMBJ43A

기술: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ36CAE3/TR

MSMBJ36CAE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ36A/TR

MSMBJ36A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ36CA/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ40CAE3

MSMBJ40CAE3

기술: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ40AE3/TR

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기술: TVS

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MSMBJ40CA

MSMBJ40CA

기술: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ40A/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ40A

MSMBJ40A

기술: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ36A

MSMBJ36A

기술: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

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기술: TVS DIODE 40V 64.5V DO214AA

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