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MSMBJ58A

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MSMBJ58A
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MSMBJ58A.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    58V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    93.6V
  • 전압 - 고장 (최소)
    64.4V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMBJ (DO-214AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1086-8129
    1086-8129-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    6.4A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMBJ58CA

MSMBJ58CA

기술: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ54A

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기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ58AE3

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기술: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ6.0AE3

MSMBJ6.0AE3

기술: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ54CAE3/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ6.0A

MSMBJ6.0A

기술: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ6.0A/TR

MSMBJ6.0A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ54AE3

MSMBJ54AE3

기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ58AE3/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ6.0CA

MSMBJ6.0CA

기술: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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MSMBJ54CA

MSMBJ54CA

기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ51CAE3

MSMBJ51CAE3

기술: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ6.0CA/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ54CA/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ54AE3/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ54CAE3

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기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ51CA/TR

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기술: TVS

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MSMBJ51CA

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