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MSMBJ8.5CAE3

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규격
  • 제품 모델
    MSMBJ8.5CAE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MSMBJ8.5CAE3.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    8.5V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    14.4V
  • 전압 - 고장 (최소)
    9.44V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMBJ (DO-214AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1086-8176
    1086-8176-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    41.7A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ85A/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ85CAE3

MSMBJ85CAE3

기술: TVS DIODE 85V 137V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ85AE3

MSMBJ85AE3

기술: TVS DIODE 85V 137V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ85A

MSMBJ85A

기술: TVS DIODE 85V 137V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ8.0CA/TR

MSMBJ8.0CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ8.5A

MSMBJ8.5A

기술: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ8.5CA/TR

MSMBJ8.5CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ8.0CAE3

MSMBJ8.0CAE3

기술: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ8.0AE3/TR

MSMBJ8.0AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ9.0AE3

MSMBJ9.0AE3

기술: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
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MSMBJ8.0CA

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기술: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
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MSMBJ85CA

MSMBJ85CA

기술: TVS DIODE 85V 137V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ9.0CA

MSMBJ9.0CA

기술: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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MSMBJ8.5AE3

MSMBJ8.5AE3

기술: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ8.5A/TR

MSMBJ8.5A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ9.0CA/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ9.0A/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMBJ9.0A

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기술: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA

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