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MSMCJ8.0CA/TR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MSMCJ8.0CA/TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    MSMCJ8.0CA/TR.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    8V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    13.6V
  • 전압 - 고장 (최소)
    8.89V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMCJ (DO-214AB)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    MSMCJ8.0CA/TRMS
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    110.3A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMCJ78AE3

기술: TVS DIODE 78V 126V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJ8.0CAE3

MSMCJ8.0CAE3

기술: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MSMCJ8.5CA/TR

MSMCJ8.5CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJ78A

MSMCJ78A

기술: TVS DIODE 78V 126V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJ78CAE3

MSMCJ78CAE3

기술: TVS DIODE 78V 126V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJ8.5AE3

MSMCJ8.5AE3

기술: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJ8.5CAE3

MSMCJ8.5CAE3

기술: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJ8.0A

MSMCJ8.0A

기술: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJ8.0AE3

MSMCJ8.0AE3

기술: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJ75CAE3

MSMCJ75CAE3

기술: TVS DIODE 75V 121V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJ8.0A/TR

MSMCJ8.0A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJ85A

MSMCJ85A

기술: TVS DIODE 85V 137V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MSMCJ8.0CAE3/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJ75CA/TR

MSMCJ75CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJ8.5A/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJ85A/TR

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기술: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

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