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MSMCJLCE170AE3

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유품
218+
$5.187
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규격
  • 제품 모델
    MSMCJLCE170AE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 170V 275V DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MSMCJLCE170AE3.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    170V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    275V
  • 전압 - 고장 (최소)
    189V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMCJ)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    1086-8700
    1086-8700-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    5.4A
  • 정전 용량 @ 주파수
    90pF @ 1MHz
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMCJLCE20AE3/TR

MSMCJLCE20AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE16A

MSMCJLCE16A

기술: TVS DIODE 16V 26V DO214AB

제조업체: Microsemi
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RFQ
MSMCJLCE18AE3

MSMCJLCE18AE3

기술: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE16AE3

MSMCJLCE16AE3

기술: TVS DIODE 16V 26V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE170A/TR

MSMCJLCE170A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE17A

MSMCJLCE17A

기술: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE18A/TR

MSMCJLCE18A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE17AE3

MSMCJLCE17AE3

기술: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MSMCJLCE20A

MSMCJLCE20A

기술: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE15A

MSMCJLCE15A

기술: TVS DIODE 15V 24.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE160AE3

MSMCJLCE160AE3

기술: TVS DIODE 160V 259V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMCJLCE15AE3

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기술: TVS DIODE 15V 24.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE15AE3/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE20A/TR

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기술: TVS

제조업체: Microsemi
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MSMCJLCE18A

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기술: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AB

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MSMCJLCE160A

MSMCJLCE160A

기술: TVS DIODE 160V 259V DO214AB

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MSMCJLCE18AE3/TR

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기술: TVS

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MSMCJLCE15A/TR

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MSMCJLCE20AE3

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기술: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AB

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