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1388874MX1H5615 이미지Microsemi Corporation

MX1H5615

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  • 제품 모델
    MX1H5615
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    -
  • 전압 - 파괴
    Axial
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    Axial
  • 다른 이름들
    Q3456485
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    MX1H5615
  • 확장 설명
    Diode Standard 200V Through Hole Axial
  • 다이오드 구성
    -
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V AXIAL
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    -
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V

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MX1A-L1NN

MX1A-L1NN

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

제조업체: Cherry Americas
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MX1A-G1NW

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

제조업체: Cherry Americas
유품
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MX1N8151US

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
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MX1N8150

MX1N8150

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
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MX1N8149US

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기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
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MX1A-G1NA

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

제조업체: Cherry Americas
유품
RFQ
MX1N8150US

MX1N8150US

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1N8151

MX1N8151

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
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MX1N8148

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기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1N8149

MX1N8149

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1N8147US

MX1N8147US

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1N8148US

MX1N8148US

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1N8147

MX1N8147

기술: TVS DIODE

제조업체: Microsemi
유품
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MX1DS10P

MX1DS10P

기술: PRESCALER - 0.05-15GHZ

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MX1A-F1NN

MX1A-F1NN

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

제조업체: Cherry Americas
유품
RFQ
MX1A-F1NW

MX1A-F1NW

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

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MX1A-G1NN

MX1A-G1NN

기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

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기술: SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V

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MX1DS10PE

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기술: EVALUATION BOARD

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