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MXLSMCJ30A

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MXLSMCJ30A
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MXLSMCJ30A.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    30V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    48.4V
  • 전압 - 고장 (최소)
    33.3V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMCJ)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    1086-12125
    1086-12125-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    31A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MXLSMCJ26A

MXLSMCJ26A

기술: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ26CA

MXLSMCJ26CA

기술: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ28A

MXLSMCJ28A

기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ28CAE3

MXLSMCJ28CAE3

기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ36A

MXLSMCJ36A

기술: TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ28A/TR

MXLSMCJ28A/TR

기술: HI REL TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ33AE3

MXLSMCJ33AE3

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ33CAE3

MXLSMCJ33CAE3

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ33A

MXLSMCJ33A

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ26CAE3

MXLSMCJ26CAE3

기술: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ30CAE3

MXLSMCJ30CAE3

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ28CAE3/TR

MXLSMCJ28CAE3/TR

기술: HI REL TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ33CA

MXLSMCJ33CA

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MXLSMCJ26AE3

MXLSMCJ26AE3

기술: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB

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MXLSMCJ28AE3

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기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB

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