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MXLSMCJ54AE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MXLSMCJ54AE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MXLSMCJ54AE3.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    54V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    87.1V
  • 전압 - 고장 (최소)
    60V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMCJ)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    1086-12162
    1086-12162-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    17.2A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MXLSMCJ51AE3

MXLSMCJ51AE3

기술: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ6.0AE3

MXLSMCJ6.0AE3

기술: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ54A

MXLSMCJ54A

기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ58CAE3

MXLSMCJ58CAE3

기술: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ6.0CA/TR

MXLSMCJ6.0CA/TR

기술: HI REL TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ54CAE3

MXLSMCJ54CAE3

기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ51CA

MXLSMCJ51CA

기술: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ58CA

MXLSMCJ58CA

기술: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ6.0CA

MXLSMCJ6.0CA

기술: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXLSMCJ5.0AE3

MXLSMCJ5.0AE3

기술: TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

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MXLSMCJ5.0A/TR

MXLSMCJ5.0A/TR

기술: HI REL TVS

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ51CAE3

MXLSMCJ51CAE3

기술: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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MXLSMCJ51A

MXLSMCJ51A

기술: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

제조업체: Microsemi
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MXLSMCJ6.0A

MXLSMCJ6.0A

기술: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

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기술: TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

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기술: TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

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MXLSMCJ5.0CAE3

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기술: TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

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기술: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

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기술: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

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