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MXP6KE7.5AE3

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MXP6KE7.5AE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    1
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    7.13V
  • 전압 - 고장 (최소)
    6.4V
  • 전압 - 파괴
    T-18
  • 유형
    Zener
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 리플 전류 - 저주파
    General Purpose
  • 전력선 보호
    600W
  • 전력 - 피크 펄스
    53A
  • 편광
    T-18, Axial
  • 다른 이름들
    1086-13156
    1086-13156-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    MXP6KE7.5AE3
  • 기술
    TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    11.3V
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    No

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기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

제조업체: Microsemi
유품
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MXP6KE68A

MXP6KE68A

기술: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MXP6KE62CAE3

MXP6KE62CAE3

기술: TVS DIODE 53V 85V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE7.5CA

MXP6KE7.5CA

기술: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE8.2CA

MXP6KE8.2CA

기술: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE7.5A

MXP6KE7.5A

기술: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MXP6KE75CAE3

MXP6KE75CAE3

기술: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE8.2AE3

MXP6KE8.2AE3

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MXP6KE75CA

MXP6KE75CA

기술: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE75A

MXP6KE75A

기술: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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MXP6KE62AE3

MXP6KE62AE3

기술: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MXP6KE8.2CAE3

MXP6KE8.2CAE3

기술: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MXP6KE8.2A

MXP6KE8.2A

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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MXP6KE6.8CAE3

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기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

제조업체: Microsemi
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기술: TVS DIODE 53VWM 85VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
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기술: TVS DIODE 58.1VWM 92VC T18

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기술: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

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