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1987217UFS520J/TR13 이미지Microsemi Corporation

UFS520J/TR13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    UFS520J/TR13
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    UFS520J/TR13.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    5A
  • 전압 - 파괴
    DO-214AB
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tape & Reel (TR)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-214AB, SMC
  • 작동 온도 - 정션
    30ns
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    UFS520J/TR13
  • 확장 설명
    Diode Standard 200V 5A Surface Mount DO-214AB
  • 다이오드 구성
    10µA @ 200V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    950mV @ 5A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V
  • VR, F @ 용량
    -55°C ~ 175°C

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UFS510G/TR13

UFS510G/TR13

기술: DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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UFS515G/TR13

UFS515G/TR13

기술: DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi Corporation
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UFS540J/TR13

UFS540J/TR13

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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UFS530G/TR13

UFS530G/TR13

기술: DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
UFS515JE3/TR13

UFS515JE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
UFS520GE3/TR13

UFS520GE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 200V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
UFS515GE3/TR13

UFS515GE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 150V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi
유품
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UFS540JE3/TR13

UFS540JE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

제조업체: Microsemi
유품
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UFS520G/TR13

UFS520G/TR13

기술: DIODE GEN PURP 200V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi Corporation
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UFS530GE3/TR13

UFS530GE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB

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UFS510JE3/TR13

UFS510JE3/TR13

기술: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB

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UFS550G/TR13

기술: DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB

제조업체: Microsemi Corporation
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UFS510J/TR13

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기술: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB

제조업체: Microsemi Corporation
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기술: DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB

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