DFE201610E-4R7M=P2

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

3000+

$0.168

온라인 문의

규격

제품 모델

DFE201610E-4R7M=P2
제조업체 / 브랜드

Murata Electronics
재고 수량

유품
기술

FIXED IND 4.7UH 1.1A 288MOHM SMD
무연 여부 / RoHS 준수 여부

RoHS 준수
사양서

1.DFE201610E-4R7M=P2.pdf
2.DFE201610E-4R7M=P2.pdf
유형

Wirewound
용인

±20%
제조업체 장치 패키지

0806 (2016 Metric)
크기 / 치수

0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
차폐

Shielded
연속

DFE201610E
RoHS 현황

RoHS Compliant
등급

-
Q 인자, 주파수

-
패키지 / 케이스

0806 (2016 Metric)
작동 온도

-40°C ~ 125°C
실장 형

Surface Mount
소재 - 코어

Metal
제조업체 표준 리드 타임

13 Weeks
인덕턴스 주파수 - 테스트

1MHz
인덕턴스

4.7µH
높이 - 장착 (최대)

0.039" (1.00mm)
주파수 - 자기 공진

-
풍모

-
상세 설명

4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 288 mOhm Max 0806 (2016 Metric)
DC 저항 (DCR)

288 mOhm Max
정격 전류

1.1A
전류 - 포화

1.6A

다음은 "DFE201610E-4R7M=P2"관련 제품입니다.

DFE201610E-R47M=P2

기술: FIXED IND .47UH 3.6A 32MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-R33M=P2

기술: FIXED IND 330NH 4.7A 34 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-R24M=P2

기술: FIXED IND .24UH 4.7A 20MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-1R5M=P2

기술: FIXED IND 1.5UH 2.1A 91 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-R47M=P2

기술: FIXED IND 470NH 4A 40 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-R33M=P2

기술: FIXED IND .33UH 3.4A 31MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-R68M=P2

기술: FIXED IND .68UH 3.1A 43MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-1R0M=P2

기술: FIXED IND 1UH 3.1A 70 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-2R2M=P2

기술: FIXED IND 2.2UH 1.2A 228 MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-100M=P2

기술: FIXED IND 10UH .65A 780MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-2R2M=P2

기술: FIXED IND 2.2UH 2A 168 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-R24M=P2

기술: FIXED IND .24UH 3.8A 25MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-R33M=P2

기술: FIXED IND .33UH 4A 26MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-1R5M=P2

기술: FIXED IND 1.5UH 1.6A 138MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-R24M=P2

기술: FIXED IND 240NH 5.4A 26 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-R47M=P2

기술: FIXED IND .47UH 3.0A 42MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-2R2M=P2

기술: FIXED IND 2.2UH 1.7A 140 MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610P-1R5M=P2

기술: FIXED IND 1.5UH 2.5A 110 MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201210U-R68M=P2

기술: FIXED IND .68UH 2.4A 60MOHM

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

DFE201610E-1R0M=P2

기술: FIXED IND 1UH 2.7A 57 MOHM SMD

제조업체: Murata Electronics

유품

RFQ

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

사전 등록

DFE201610E-4R7M=P2

온라인 가격 조회

참고 가격 (미국 달러 기준)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

DFE201610E-R47M=P2

DFE201610P-R33M=P2

DFE201610E-R24M=P2

DFE201610E-1R5M=P2

DFE201610P-R47M=P2

DFE201210U-R33M=P2

DFE201610E-R68M=P2

DFE201610P-1R0M=P2

DFE201210U-2R2M=P2

DFE201610E-100M=P2

DFE201610P-2R2M=P2

DFE201210U-R24M=P2

DFE201610E-R33M=P2

DFE201210U-1R5M=P2

DFE201610P-R24M=P2

DFE201210U-R47M=P2

DFE201610E-2R2M=P2

DFE201610P-1R5M=P2

DFE201210U-R68M=P2

DFE201610E-1R0M=P2

언어 선택

현재 언어