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PEMD20,115

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  • 제품 모델
    PEMD20,115
  • 제조업체 / 브랜드
    Nexperia
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    PEMD20,115.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    150mV @ 500µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-666
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    2.2 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    2.2 kOhms
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    934058925115
    PEMD20 T/R
    PEMD20 T/R-ND
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    30 @ 20mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    1µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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2024년10월9일
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PEMD19,115

PEMD19,115

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

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PEMD2,115

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PEMD24,115

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PEMD3,115

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PEMD16,115

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PEMD12,315

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PEMD30,315

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PEMD14,115

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PEMD17,115

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PEMD15,115

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PEMD2,315

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PEMD30,115

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PEMD9,115

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기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

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PEMD3,315

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PEMD13,115

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PEMD9,315

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PEMD48,115

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