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PHD38N02LT,118

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규격
  • 제품 모델
    PHD38N02LT,118
  • 제조업체 / 브랜드
    Nexperia
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    PHD38N02LT,118.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    DPAK
  • 연속
    TrenchMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    16 mOhm @ 25A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    57.6W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    934057587118
    PHD38N02LT /T3
    PHD38N02LT /T3-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    800pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    15.1nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount DPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    44.7A (Tc)

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2024년10월9일
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PHD82NQ03LT,118

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제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
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PHD36N03LT,118

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PHD96NQ03LT,118

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PHD34NQ10T,118

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PHD37N06LT,118

PHD37N06LT,118

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PHD33NQ20T,118

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제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
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PHD23NQ10T,118

PHD23NQ10T,118

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제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
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