Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 커패시터 > 알루미늄 전해 커패시터 > UGB1H3R3KHM1TO
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1022161

UGB1H3R3KHM1TO

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
500+
$0.62
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    UGB1H3R3KHM1TO
  • 제조업체 / 브랜드
    Nichicon
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP ALUM 3.3UF 20% 50V RADIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.UGB1H3R3KHM1TO.pdf
    2.UGB1H3R3KHM1TO.pdf
  • 전압 - 정격
    50V
  • 용인
    ±20%
  • 산 땅 크기 표면
    -
  • 크기 / 치수
    0.630" Dia (16.00mm)
  • 연속
    UGB
  • 고주파에서의 리플 전류
    850mA @ 6kHz
  • 등급
    -
  • 편광
    Bi-Polar
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Radial, Can
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 수명 @ 온도.
    -
  • 리드 간격
    0.295" (7.50mm)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    1.024" (26.00mm)
  • ESR (등가 직렬 저항)
    -
  • 상세 설명
    3.3µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can
  • 정전 용량
    3.3µF
  • 응용 프로그램
    Audio

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "UGB1H3R3KHM1TO"관련 제품입니다.
UGB5HTHE3/45

UGB5HTHE3/45

기술: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGB1H6R8KHM

UGB1H6R8KHM

기술: CAP ALUM 6.8UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H1R5KHM1TO

UGB1H1R5KHM1TO

기술: CAP ALUM 1.5UF 20% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB2/0-414-18

UGB2/0-414-18

기술: 18 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
UGB5HTHE3/81

UGB5HTHE3/81

기술: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGB3132AD

UGB3132AD

기술: IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
UGB1H220KRM

UGB1H220KRM

기술: CAP ALUM 22UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H4R7KHM

UGB1H4R7KHM

기술: CAP ALUM 4.7UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H1R5KHM

UGB1H1R5KHM

기술: CAP ALUM 1.5UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H150KRM

UGB1H150KRM

기술: CAP ALUM 15UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H100KHM

UGB1H100KHM

기술: CAP ALUM 10UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H2R2KHM1TO

UGB1H2R2KHM1TO

기술: CAP ALUM 2.2UF 20% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB2/0-414-6

UGB2/0-414-6

기술: 6 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
UGB1H330KRM

UGB1H330KRM

기술: CAP ALUM 33UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H2R2KHM

UGB1H2R2KHM

기술: CAP ALUM 2.2UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB5HT-E3/81

UGB5HT-E3/81

기술: DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGB1H010KPM1TD

UGB1H010KPM1TD

기술: CAP ALUM 1UF 20% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB1H4R7KHM1TO

UGB1H4R7KHM1TO

기술: CAP ALUM 4.7UF 20% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
UGB2/0-414-12

UGB2/0-414-12

기술: 12 PORT UNIVERSAL GROUND BAR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
UGB1H3R3KHM

UGB1H3R3KHM

기술: CAP ALUM 3.3UF 10% 50V RADIAL

제조업체: Nichicon
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.